Новые транзисторы используют самую последнюю версию «Field-stop trench»-технологии изготовления кристаллов IGBT и рассчитаны на напряжение 1200 В. Транзисторы выпускаются в корпусах промышленного стандарта TO-247.

Новые транзисторы охватывают диапазон рабочих токов от 8 А до 60 А, обладают типовым значением параметра Vce(on)=1.7 В и областью безопасной работы в режиме КЗ (SCSOA) до 10 мкс. Все это позволяет снизить тепловые потери, повысить выходную плотность мощности и обеспечить высокую надежность промышленных систем.

Новая технология позволяет минимизировать крутизну изменения напряжения dv/dt, уменьшая уровень ЭМИ и снижая уровни перенапряжения, и делает IGBT Gen8 идеальным решением для построения электроприводов. Рабочая частота коммутации этих транзисторов составляет от 0 до 8 кГц (fast speed range).

Появление данной новой технологии и ультрасовременной кремниевой платформы изготовления IGBT явилось результатом работы компании IR по развитию технологий в силовой электронике в течение нескольких десятилетий. Цель компании – достичь 100% возможности использования ее компонентов в инверторах для управления электродвигателями различной мощности с целью более эффективного использования электрической энергии и улучшения экологии окружающей среды.