Количество:
Категория:
Производитель:
Код для поиска
Производитель
Срок доставки
Заказать
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance double bidirectional ESD protection diodes in SOT23
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, PTVSxP1UTP series
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Very low capacitance bidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, PTVSxP1UTP series
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Standard and ultra low capacitance ESD devices in ultra small packages
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Very low capacitance unidirectional quadruple ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance double bidirectional ESD protection diodes in SOT23
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, 18-fold ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Double ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Standard and ultra low capacitance ESD devices in ultra small packages
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Standard and ultra low capacitance ESD devices in ultra small packages
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection for ultra high-speed interfaces
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple bidirectional ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Standard and ultra low capacitance ESD devices in ultra small packages
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Standard and ultra low capacitance ESD devices in ultra small packages
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, Low capacitance unidirectional double ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, 600 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Standard and ultra low capacitance ESD devices in ultra small packages
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, PTVSxP1UTP series
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Standard and ultra low capacitance ESD devices in ultra small packages
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда со сверхнизкой емкостью, Femtofarad bidirectional ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, PTVSxP1UTP series
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Standard and ultra low capacitance ESD devices in ultra small packages
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection diodes in SOD523 package
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Double ESD protection diode in SOT23 package
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Double ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional ESD protection for transient voltage suppression
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Ultra low capacitance bidirectional double ESD protection array
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, Low capacitance unidirectional double ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, 600 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, PTVSxP1UTP series
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Standard and ultra low capacitance ESD devices in ultra small packages
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance double bidirectional ESD protection diodes in SOT23
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance unidirectional quadruple ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppression
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, 600 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection for ultra high-speed interfaces
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection diodes in SOD523 package
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance7fold ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance bidirectional double ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppression
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, 600 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Standard and ultra low capacitance ESD devices in ultra small packages
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда со сверхнизкой емкостью, Ultra low capacitance single rail-to-rail ESD protection
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда со сверхнизкой емкостью, Ultra low capacitance double rail-to-rail ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, 600 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, PTVSxP1UTP series
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, PTVSxP1UTP series
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Double ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Ultra low capacitance bidirectional double ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Very low capacitance bidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, 600 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance double bidirectional ESD protection diodes in SOT23
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance unidirectional fivefold ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, 600 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, PTVSxP1UTP series
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, PTVSxP1UTP series
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Low capacitance bidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection diodes in SOD523 package
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Ultra low capacitance bidirectional quadruple ESD protection arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance double bidirectional ESD protection diodes in SOT23
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance unidirectional quadruple ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда со сверхнизкой емкостью, Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, Low capacitance unidirectional double ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, 600 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, 600 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Very low capacitance bidirectional ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Low capacitance bidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional ESD protection for transient voltage suppression
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Double ESD protection diode in SOT23 package
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Very low capacitance unidirectional quadruple ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Very low capacitance bidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance double ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance unidirectional fivefold ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда со сверхнизкой емкостью, Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда со сверхнизкой емкостью, Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда со сверхнизкой емкостью, Ultra low capacitance single rail-to-rail ESD protection
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, Low capacitance unidirectional double ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, 600 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, 600 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, 600 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, 600 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, PTVSxP1UTP series
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, PTVSxP1UTP series
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, PTVSxP1UTP series
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, PTVSxP1UTP series
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, PTVSxP1UTP series
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, PTVSxP1UTP series
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Fivefold ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Ultra low capacitance bidirectional double ESD protection array
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда со сверхнизкой емкостью, ESD protection for high-speed interfaces
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда со сверхнизкой емкостью, Ultra low capacitance ESD protection diode in SOT23 package
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, Low capacitance unidirectional double ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, 600 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, PTVSxP1UTP series
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, PTVSxP1UTP series
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Low capacitance bidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional ESD protection for transient voltage suppression
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Double ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance unidirectional fivefold ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance 6-fold ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Ultra low capacitance bidirectional quadruple ESD protection arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance unidirectional quadruple ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Very low capacitance unidirectional quadruple ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда со сверхнизкой емкостью, Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, Low capacitance unidirectional double ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, Low capacitance unidirectional double ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppression
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, 600 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, 600 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, PTVSxP1UTP series
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Double ESD protection diode in SOT23 package
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Double ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Fivefold ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance unidirectional fivefold ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Very low capacitance unidirectional quadruple ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance unidirectional double ESD protection array
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance 7-fold ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance 6-fold ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Ultra low capacitance bidirectional fivefold ESD protection arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance bidirectional ESD protection diodes in SOD323
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance unidirectional quadruple ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance unidirectional fivefold ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance unidirectional fivefold ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Very low capacitance unidirectional quadruple ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Very low capacitance unidirectional quadruple ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда со сверхнизкой емкостью, Extremely low capacitance bidirectional ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда со сверхнизкой емкостью, Integrated quad ultra-low capacitance ESD protection
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppression
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppression
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, 600 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, 600 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, PTVSxP1UTP series
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Standard and ultra low capacitance ESD devices in ultra small packages
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional quadruple ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Low capacitance bidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Double ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Ultra low capacitance bidirectional fivefold ESD protection arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance bidirectional ESD protection diodes in SOD323
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance bidirectional ESD protection diodes in SOD323
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance double ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance unidirectional quadruple ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance unidirectional fivefold ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда со сверхнизкой емкостью, Femtofarad unidirectional fivefold ESD protection array
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда со сверхнизкой емкостью, Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда со сверхнизкой емкостью, Ultra low capacitance ESD protection diode in SOT23 package
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда со сверхнизкой емкостью, Ultra low capacitance single rail-to-rail ESD protection
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppression
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, 600 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, PTVSxP1UTP series
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, PTVSxP1UTP series
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, PTVSxP1UTP series
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Ultra low capacitance ESD protection array
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Ultra low capacitance ESD protection array
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection diodes in SOD523 package
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Double ESD protection diode in SOT23 package
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Double ESD protection diode in SOT23 package
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Double ESD protection diode in SOT23 package
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance bidirectional ESD protection diodes in SOD323
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance bidirectional ESD protection diodes in SOD323
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance double bidirectional ESD protection diodes in SOT23
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance double ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда со сверхнизкой емкостью, Femtofarad unidirectional fivefold ESD protection array
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда со сверхнизкой емкостью, Ultra low capacitance ESD protection diode in SOT23 package
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда со сверхнизкой емкостью, Ultra low capacitance ESD protection diode in SOT23 package
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, Low capacitance unidirectional double ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, 600 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, 600 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, 600 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, PTVSxP1UTP series
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, PTVSxP1UTP series
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, PTVSxP1UTP series
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, PTVSxP1UTP series
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection diodes in SOD523 package
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Double ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Double ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Fivefold ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Extremely low capacitance bidirectional ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance unidirectional fivefold ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Very low capacitance unidirectional quadruple ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Very low capacitance unidirectional quadruple ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда со сверхнизкой емкостью, Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда со сверхнизкой емкостью, Ultra low capacitance ESD protection diode in SOT23 package
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, Low capacitance unidirectional double ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppression
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, 600 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, 600 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, 600 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, 600 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, 600 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, PTVSxP1UTP series
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, PTVSxP1UTP series
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional quadruple ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Fivefold ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Fivefold ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда со сверхнизкой емкостью, Femtofarad bidirectional ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда со сверхнизкой емкостью, Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда со сверхнизкой емкостью, Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, Low capacitance unidirectional double ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, 600 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, 600 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, 600 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, 600 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, PTVSxP1UTP series
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, PTVSxP1UTP series
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional ESD protection for transient voltage suppression
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection diodes in SOD523 package
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Double ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Double ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Very low capacitance unidirectional quadruple ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Very low capacitance bidirectional ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance unidirectional quadruple ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда со сверхнизкой емкостью, Extremely low capacitance bidirectional ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, Double ESD protection diodes for transient overvoltage suppression
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, 600 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, 600 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, 600 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, PTVSxP1UTP series
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, PTVSxP1UTP series
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, PTVSxP1UTP series
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, PTVSxP1UTP series
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection for ultra high-speed interfaces
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional ESD protection for transient voltage suppression
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance bidirectional ESD protection diodes in SOD323
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, 600 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, 600 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, PTVSxP1UTP series
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда со сверхнизкой емкостью, Ultra low capacitance ESD protection diode in SOT23 package
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, Low capacitance unidirectional double ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, 24 Вт/40 Вт, Low capacitance unidirectional double ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, PTVSxP1UTP series
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды с ограничителем переходного напряжения, High-temperature 400 W Transient Voltage Suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Double ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Fivefold ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Double ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Integrated USB 2.0 and USB OTG ESD protection to IEC 61000-4-2 level 4
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection for high-speed interfaces
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection for high-speed interfaces
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection for high-speed interfaces
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Ultra low capacitance ESD protection for Ethernet ports
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Single USB 2.0 ESD protection to IEC 61000-4-2 level 4
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection for HDMI interface
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection for high-speed interfaces
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection for ultra high-speed interfaces
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection for ultra high-speed interfaces
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection for ultra high-speed interfaces
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection for ultra high-speed interfaces
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection for ultra high-speed interfaces
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection for ultra high-speed interfaces
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection for ultra high-speed interfaces
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection for ultra high-speed interfaces
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Dual channel low capacitance high performance ESD protection
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда,ESD protection for high-speed interfaces
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда со сверхнизкой емкостью, ESD protection for high-speed interfaces
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда со сверхнизкой емкостью, Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда со сверхнизкой емкостью, Ultra low capacitance single rail-to-rail ESD protection
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда со сверхнизкой емкостью, Ultra low capacitance single rail-to-rail ESD protection
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда со сверхнизкой емкостью, Ultra low capacitance double rail-to-rail ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда со сверхнизкой емкостью, Integrated quad ultra-low capacitance ESD protection
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, 18-fold ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple bidirectional ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD transient voltage suppressor
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Standard and ultra low capacitance ESD devices in ultra small packages
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Standard and ultra low capacitance ESD devices in ultra small packages
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Standard and ultra low capacitance ESD devices in ultra small packages
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Standard and ultra low capacitance ESD devices in ultra small packages
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Standard and ultra low capacitance ESD devices in ultra small packages
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Standard and ultra low capacitance ESD devices in ultra small packages
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Standard and ultra low capacitance ESD devices in ultra small packages
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Standard and ultra low capacitance ESD devices in ultra small packages
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Standard and ultra low capacitance ESD devices in ultra small packages
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Standard and ultra low capacitance ESD devices in ultra small packages
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Standard and ultra low capacitance ESD devices in ultra small packages
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Integrated USB 2.0 and USB OTG ESD protection to IEC 61000-4-2 level 4
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection for high-speed interfaces
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection for high-speed interfaces
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection for high-speed interfaces
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Ultra low capacitance ESD protection for Ethernet ports
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Single USB 2.0 ESD protection to IEC 61000-4-2 level 4
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection for HDMI interface
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection for high-speed interfaces
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection for ultra high-speed interfaces
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection for ultra high-speed interfaces
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection for ultra high-speed interfaces
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection for ultra high-speed interfaces
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection for ultra high-speed interfaces
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection for ultra high-speed interfaces
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection for ultra high-speed interfaces
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection for ultra high-speed interfaces
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection for ultra high-speed interfaces
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection for ultra high-speed interfaces
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection for ultra high-speed interfaces
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Dual channel low capacitance high performance ESD protection
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда,ESD protection for high-speed interfaces
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Ultra low capacitance ESD protection array
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Ultra low capacitance ESD protection array
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Very low capacitance bidirectional ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional quadruple ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional quadruple ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Low capacitance bidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Low capacitance bidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Low capacitance bidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Low capacitance bidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional ESD protection for transient voltage suppression
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional ESD protection for transient voltage suppression
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional ESD protection for transient voltage suppression
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional ESD protection for transient voltage suppression
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional ESD protection for transient voltage suppression
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection diodes in SOD523 package
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection diodes in SOD523 package
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection diodes in SOD523 package
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection diodes in SOD523 package
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection diodes in SOD523 package
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, ESD protection diodes in SOD523 package
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Double ESD protection diode in SOT23 package
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Double ESD protection diode in SOT23 package
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Double ESD protection diode in SOT23 package
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Double ESD protection diode in SOT23 package
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Double ESD protection diode in SOT23 package
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Double ESD protection diode in SOT23 package
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Double ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Double ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Double ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Double ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Double ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Double ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Double ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Double ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Double ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Double ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Double ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Double ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Quadruple ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Fivefold ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Fivefold ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Fivefold ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Fivefold ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Fivefold ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы для универсальной защиты от электростатического разряда, Fivefold ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance unidirectional fivefold ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance unidirectional fivefold ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Ultra low capacitance unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Very low capacitance unidirectional quadruple ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Very low capacitance unidirectional quadruple ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Very low capacitance unidirectional quadruple ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Extremely low capacitance bidirectional ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance unidirectional double ESD protection array
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance unidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance 7-fold ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance7fold ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance 6-fold ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance 6-fold ESD protection diode arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance bidirectional double ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Ultra low capacitance bidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Ultra low capacitance bidirectional double ESD protection array
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Ultra low capacitance bidirectional double ESD protection array
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Ultra low capacitance bidirectional double ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Ultra low capacitance bidirectional quadruple ESD protection arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Ultra low capacitance bidirectional quadruple ESD protection arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Ultra low capacitance bidirectional fivefold ESD protection arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Ultra low capacitance bidirectional fivefold ESD protection arrays
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Very low capacitance bidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Very low capacitance bidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Very low capacitance bidirectional ESD protection diodes
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Very low capacitance bidirectional ESD protection diode
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance bidirectional ESD protection diodes in SOD323
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance bidirectional ESD protection diodes in SOD323
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance bidirectional ESD protection diodes in SOD323
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance bidirectional ESD protection diodes in SOD323
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance bidirectional ESD protection diodes in SOD323
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance bidirectional ESD protection diodes in SOD323
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance double bidirectional ESD protection diodes in SOT23
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance double bidirectional ESD protection diodes in SOT23
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance double bidirectional ESD protection diodes in SOT23
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance double bidirectional ESD protection diodes in SOT23
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance double bidirectional ESD protection diodes in SOT23
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance double bidirectional ESD protection diodes in SOT23
NXP Semiconductors
3-4 недели
Описание: диоды и матрицы, защита от электростатического разряда с очень низкой емкостью, Low capacitance double ESD protection diode
NXP Semiconductors